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ASLI半導體hast老化試驗箱
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艾思荔半導體hast老化試驗箱 壹叁伍 叁捌肆陸 玖零柒陸 的目的是提高環(huán)境應力(如：溫度)與工作應力(施加給產(chǎn)品的電壓、負荷等)，加快試驗過程，縮短產(chǎn)品或系統(tǒng)的壽命試驗時間。用于調(diào)查分析何時出現(xiàn)電子元器件和機械零件的磨耗和使用壽命的問題，使用壽命的故障分布函數(shù)呈什么樣的形狀，以及分析失效率上升的原因所進行的試驗。
半導體hast老化試驗箱產(chǎn)品規(guī)格：
溫度范圍：+105.0℃~+142.9℃
濕度范圍：75%~100%RH
溫濕度穩(wěn)定度：±0.5℃、±3℃RH
溫度分布均度：±1℃
壓力范圍：0.2~2.0kg/cm2G（選配0.2~4.0kg/cm2G）
升溫時間：室溫上升140℃需約120分鐘
內(nèi)箱尺寸：￠45×45/￠65×60
材質(zhì)：內(nèi)外不銹鋼板
電源：1￠220V60HZ/380V50HZ20A
半導體hast老化試驗箱產(chǎn)品特點：
1、圓形橫置式內(nèi)槽結(jié)構(gòu)設(shè)計方便使用者取置待測品
2、馬達驅(qū)動磁性風扇機構(gòu)循環(huán)（溫度/濕度分布均勻佳）
3、安全程序自動停機,自動泄壓,自動破真空,自動給水
4、HAST設(shè)備本體材質(zhì)SUS#316,外部包裝材質(zhì)SUS#304
5、電磁風扇馬達循環(huán)裝置濕度分布均勻
6、飽和或不飽和可程控模式
7、溫度/濕度/濕球/溫度/壓力/電壓顯示
半導體hast老化試驗箱詳細說明
隨著半導體可靠性的提高，目前大多半導體器件能承受長期的THB試驗而不會產(chǎn)生失效，因此用來確定成品質(zhì)量的測試時間也相應增加了許多。為了提高試驗效率、減少試驗時間，采用了新的壓力蒸煮鍋試驗方法。壓力蒸煮鍋試驗方法主要分成兩種類型：即PCT和USPCT（HAST）現(xiàn)在壓力蒸煮鍋試驗作為濕熱加速試驗被IEC（國際電工委員會）所標準化。
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